TRFDRE10PAP是一款由东芝(Toshiba)制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),通常用于电源管理、开关电路和高电流负载控制等应用。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和高可靠性等特点,适用于工业控制、消费类电子产品和汽车电子系统。TRFDRE10PAP采用高性能的U-MOS技术,提供优异的开关性能和热稳定性,使其在高频率和高负载条件下也能保持稳定工作。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):100A
最大漏源电压(VDS):20V
导通电阻(RDS(on)):最大10mΩ(在VGS=4.5V)
栅极电荷(Qg):典型值120nC
封装形式:TO-252(DPAK)
工作温度范围:-55°C至175°C
TRFDRE10PAP采用东芝先进的U-MOS VII技术,具备极低的导通电阻,从而减少了导通损耗并提高了能效。该器件支持高电流承载能力,适合用于大功率应用。其低栅极电荷特性使其在高频开关应用中表现优异,有助于减少开关损耗。此外,该MOSFET具有良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定运行,提高了系统的可靠性和寿命。其封装形式为TO-252(DPAK),适合表面贴装,便于散热和安装。TRFDRE10PAP还具备高抗静电能力和优异的短路耐受能力,适用于对可靠性要求较高的工业和汽车应用。
在性能方面,TRFDRE10PAP能够在4.5V的栅极驱动电压下正常工作,适用于多种驱动电路。其快速开关特性有助于提高电源转换效率,适用于DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用。同时,该器件符合RoHS标准,适用于环保型电子产品设计。
TRFDRE10PAP广泛应用于各种高功率密度和高效率要求的电子设备中,如电源管理模块、DC-DC转换器、电机控制器、电池管理系统、LED驱动电路以及汽车电子系统中的功率开关。此外,该MOSFET也常用于工业自动化设备、不间断电源(UPS)、储能系统和充电器等产品中。由于其优异的热管理和高可靠性,TRFDRE10PAP在需要长时间高负载工作的系统中表现出色。
TPH1R406PbF, CSD17551Q5A, SiSS218DN, IRLB8721PbF