TRFDRE10PAP 时间：2025/7/18 17:08:40 阅读：9

TRFDRE10PAP是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于电源管理、开关电路和高电流负载控制等应用。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和高可靠性等特点，适用于工业控制、消费类电子产品和汽车电子系统。TRFDRE10PAP采用高性能的U-MOS技术，提供优异的开关性能和热稳定性，使其在高频率和高负载条件下也能保持稳定工作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100A
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大10mΩ（在VGS=4.5V）
　　栅极电荷（Qg）：典型值120nC
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

TRFDRE10PAP采用东芝先进的U-MOS VII技术，具备极低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了能效。该器件支持高电流承载能力，适合用于大功率应用。其低栅极电荷特性使其在高频开关应用中表现优异，有助于减少开关损耗。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，提高了系统的可靠性和寿命。其封装形式为TO-252（DPAK），适合表面贴装，便于散热和安装。TRFDRE10PAP还具备高抗静电能力和优异的短路耐受能力，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车应用。
　　在性能方面，TRFDRE10PAP能够在4.5V的栅极驱动电压下正常工作，适用于多种驱动电路。其快速开关特性有助于提高电源转换效率，适用于DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用。同时，该器件符合RoHS标准，适用于环保型电子产品设计。

应用

TRFDRE10PAP广泛应用于各种高功率密度和高效率要求的电子设备中，如电源管理模块、DC-DC转换器、电机控制器、电池管理系统、LED驱动电路以及汽车电子系统中的功率开关。此外，该MOSFET也常用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）、储能系统和充电器等产品中。由于其优异的热管理和高可靠性，TRFDRE10PAP在需要长时间高负载工作的系统中表现出色。