K4S641632D-TC/L7 时间：2025/11/12 14:35:10 阅读：14

K4S641632D-TC/L7是一款由三星（Samsung）生产的高速CMOS动态随机存取存储器（SDRAM），属于同步DRAM系列，广泛应用于需要高性能内存处理的电子设备中。该芯片采用同步接口设计，能够与系统时钟同步工作，从而提高数据传输效率和系统整体性能。K4S641632D-TC/L7的存储容量为64兆字（64M x 16位），即总容量为128兆位（128Mb），组织结构为4个Bank，每个Bank包含8,192行和16,384列，支持突发模式读写操作，并兼容标准的3.3V电源供电。该器件主要用于嵌入式系统、网络通信设备、工业控制模块以及图形处理单元等对内存带宽和响应速度有较高要求的应用场景。其封装形式为54引脚TSOP（Thin Small Outline Package），具有良好的散热性能和空间适应性，适合高密度PCB布局。此外，该芯片支持自动刷新和自刷新功能，能够在保证数据完整性的同时降低功耗，适用于需要长时间稳定运行的系统环境。K4S641632D-TC/L7遵循JEDEC标准规范，具备较高的可靠性和兼容性，是许多传统工业和通信产品中常用的内存解决方案之一。
　　尽管该型号已逐步被更先进的DDR SDRAM所取代，但在一些仍在维护或生产的 legacy 系统中仍具有重要应用价值。由于其停产或供应受限的可能性较高，部分用户可能会寻求替代方案或升级至更高性能的内存架构。在使用过程中，需注意其时序参数配置、电源稳定性及信号完整性设计，以确保系统正常运行。

参数

型号：K4S641632D-TC/L7
　　制造商：Samsung
　　存储类型：SDRAM
　　组织结构：64M x 16 Bit (128Mb)
　　Bank数量：4
　　工作电压：3.3V ± 0.3V
　　最大访问时间：7ns @ 工作频率143MHz
　　时钟频率：最高支持143MHz
　　数据速率：PC133标准兼容
　　封装类型：54-pin TSOP II
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　刷新周期：64ms / 8192 rows ≈ 7.8μs 自动刷新间隔
　　突发长度：支持1, 2, 4, 8及整页模式
　　突发类型：顺序或交错模式可选
　　逻辑电平：LVTTL兼容输入/输出

特性

K4S641632D-TC/L7作为一款经典的同步动态随机存取存储器（SDRAM），其核心特性体现在高速数据传输能力、低功耗管理机制以及高度集成的内部架构设计上。首先，该芯片采用了同步时钟控制技术，所有输入输出信号均与时钟上升沿对齐，确保了与处理器或其他主控单元之间的高效协同工作。这种同步机制显著提升了系统的数据吞吐率，尤其在连续读写操作中表现优异。其最大访问时间为7纳秒，支持高达143MHz的时钟频率，符合PC133标准规范，能够满足当时主流嵌入式系统和通信设备对内存带宽的需求。同时，该芯片具备四Bank交替操作能力，允许在一个Bank进行预充电的同时，其他Bank执行读写或刷新操作，极大提高了内存利用率和并发处理能力。
　　其次，在功耗管理方面，K4S641632D-TC/L7集成了多种节能模式，包括自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self-refresh）功能。自动刷新由外部控制器定时触发，用于维持存储单元中的电荷状态；而自刷新模式则可在系统进入待机或低功耗状态时启用，此时芯片内部自行生成刷新信号，无需外部时钟参与，进一步降低了系统整体功耗。这一特性使其适用于需要长时间运行且对能耗敏感的应用场景，如便携式工业终端或远程通信节点。
　　再者，该芯片支持多种突发传输模式（Burst Mode），包括突发长度为1、2、4、8以及整页模式，用户可根据实际应用需求灵活配置。突发类型支持顺序（Sequential）和交错（Interleaved）两种方式，增强了数据访问的灵活性。此外，其LVTTL电平兼容的I/O接口确保了与其他3.3V逻辑器件的良好互操作性，简化了系统级设计。54引脚TSOP II封装不仅提供了足够的引脚密度，还具备优良的热性能和机械稳定性，适合在紧凑型PCB上实现高密度布线。总体而言，K4S641632D-TC/L7凭借其稳定的性能、成熟的工艺和广泛的兼容性，曾是许多关键系统中的首选内存器件之一。

应用

K4S641632D-TC/L7因其高性能和稳定性，被广泛应用于多个工业和技术领域。典型应用场景包括网络路由器、交换机和基站等通信设备，这些系统通常需要快速响应和大量数据缓存，该SDRAM能够提供必要的带宽支持。在嵌入式控制系统中，如工控机、PLC（可编程逻辑控制器）和HMI（人机界面）设备，它常作为主存储器使用，用于运行实时操作系统和存储运行时数据。此外，在图形显示模块、视频采集卡和数字监控设备中，该芯片可用于帧缓冲存储，支持图像数据的高速读写。由于其兼容JEDEC标准并采用通用TSOP封装，也常见于各种需要替换或升级内存的老款消费类电子产品维修与维护中。虽然目前已逐渐被DDR SDRAM取代，但在一些尚未更新换代的 legacy 设备中仍发挥着重要作用。