IXDE504PI是一款由IXYS公司生产的双路高速MOSFET和IGBT驱动器集成电路,广泛用于功率电子领域,例如电源转换器、电机控制和逆变器设计。这款芯片采用标准的16引脚DIP封装,适用于需要高驱动能力和快速响应的应用场景。IXDE504PI的内部结构包括两个独立的驱动通道,每个通道都具备独立的输入信号控制,可以灵活地用于同步整流、H桥电路以及其他高功率拓扑结构。
类型:MOSFET/IGBT驱动器
通道数:2
封装类型:16引脚DIP
工作电压范围:10V至20V
输出驱动电流:±4.0A(典型值)
传播延迟时间:30ns(典型值)
上升时间:12ns(典型值)
下降时间:9ns(典型值)
工作温度范围:-40°C至+125°C
隔离电压:2500Vrms(绝缘型)
IXDE504PI具有多个显著的特性,使其成为高功率应用的理想选择。首先,其双通道设计允许同时驱动两个功率器件,如MOSFET或IGBT,从而提高了系统的集成度和效率。每个通道的最大输出驱动电流可达±4.0A,确保了对高栅极电荷功率器件的快速驱动能力,减少了开关损耗。
该器件的传播延迟时间仅为30ns,上升时间和下降时间分别为12ns和9ns,能够实现非常快速的开关操作,适合高频应用。此外,IXDE504PI具备宽输入电压范围(10V至20V),支持多种电源配置,适用于不同的应用场景。
在保护功能方面,IXDE504PI集成了交叉传导保护(交叉导通保护),防止上下桥臂同时导通,避免短路和损坏功率器件。此外,芯片的高隔离电压(2500Vrms)提供了良好的电气隔离,增强了系统的安全性和可靠性。
IXDE504PI的工作温度范围为-40°C至+125°C,能够在恶劣的环境条件下稳定运行。该器件广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动器、UPS系统、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等高功率电子设备。
IXDE504PI主要用于需要高驱动能力和快速响应的功率电子系统中。常见的应用包括:高频率DC-DC转换器、全桥和半桥功率逆变器、电机控制驱动电路、UPS不间断电源系统、太阳能逆变器以及电动汽车的功率管理系统。由于其出色的驱动能力和隔离特性,IXDE504PI也适用于工业自动化设备和高功率LED照明驱动器等应用领域。
IXDN444PI, TC4427A, IR2110, UCC27424