PAA190STR 时间：2025/8/6 1:17:01 阅读：15

PAA190STR是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和功率开关应用。该器件采用了先进的沟槽式技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通损耗并提高了整体效率。PAA190STR采用紧凑的PowerFLAT 5x6封装，适用于空间受限的应用，如DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统等。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：8A
　　导通电阻（Rds(on)）：190mΩ（最大）
　　功率耗散（Ptot）：30W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6

特性

PAA190STR采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使其在导通状态下具有非常低的电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统的整体效率。该器件具有较高的电流承载能力和良好的热性能，能够在较高温度下稳定工作。PowerFLAT 5x6封装不仅提供了良好的散热性能，还使得该MOSFET适用于空间受限的设计。
　　此外，PAA190STR具备较高的耐用性和可靠性，能够承受一定的过载和瞬态电压冲击，适用于各种工业和消费类电子应用。其低导通电阻和高开关速度使其非常适合用于高频开关电源和DC-DC转换器，有助于减小外围电路的尺寸并提高系统的能量转换效率。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，可在4.5V至20V之间正常工作，便于与不同的控制电路兼容。同时，其内部结构设计优化了开关损耗，降低了电磁干扰（EMI）的影响，使得系统设计更加简洁可靠。

应用

PAA190STR广泛应用于各种电源管理电路中，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统。由于其低导通电阻和高效率的特点，该MOSFET非常适合用于需要高效能和高可靠性的应用，如工业自动化设备、便携式电子设备、汽车电子系统以及消费类电子产品中的电源模块。
　　在DC-DC转换器中，PAA190STR可以作为主开关器件，用于升压或降压拓扑结构，提高转换效率并减小电路体积。在电池管理系统中，它可以用于控制电池的充放电过程，确保系统的安全运行。此外，在负载开关应用中，该MOSFET可以用于快速切换负载电源，减少待机功耗并提高系统响应速度。