时间：2025/6/29 2:21:40
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MT18N221J101CT 是一种高性能的存储芯片，主要应用于需要高密度、高速度数据存取的场景。该芯片采用先进的制造工艺，具备出色的稳定性和可靠性，广泛用于服务器、网络设备以及其他需要大容量存储的应用领域。
其设计优化了数据传输速率和功耗表现，同时支持多种接口标准以适应不同的系统需求。
类型：DRAM
容量：2Gb
组织结构：16M x 128
工作电压：1.35V
接口类型：DDR3L
数据速率：1600 MT/s
封装形式：BGA
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
引脚数：78
MT18N221J101CT 具有以下关键特性：
1. 高速数据传输能力，支持高达 1600 MT/s 的数据速率。
2. 超低功耗设计，工作电压为 1.35V，适合对功耗敏感的应用。
3. 稳定性优异，在宽温范围内仍能保持高性能运行。
4. 支持 ECC（错误检查与纠正）功能，显著提升了数据完整性和可靠性。
5. 小型化封装设计，便于在紧凑空间内集成。
6. 符合 JEDEC 标准，兼容性强，便于与其他系统组件协同工作。
MT18N221J101CT 主要应用于以下领域：
1. 企业级服务器和存储设备。
2. 高性能计算 (HPC) 系统。
3. 网络通信设备，如路由器和交换机。
4. 工业自动化控制设备。
5. 医疗成像和诊断设备。
6. 嵌入式系统中的大容量存储模块。
由于其高性能和低功耗的特点，它非常适合需要长时间稳定运行且对数据吞吐量要求较高的应用场景。
MT18N221J101BT
MT18N221J101DT
MT18N221J101FT
