类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：360A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大4.3mΩ（Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：120W
　　工作温度范围：-55℃～150℃
　　存储温度范围：-55℃～150℃
　　封装类型：TO-252（DPAK）

LTL30EJBKNN MOSFET采用了先进的沟槽栅结构技术，具有极低的导通电阻，从而降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的效率。
　　其高电流承载能力和良好的热稳定性，使得该器件在高功率密度应用中表现出色。
　　此外，该MOSFET具有较快的开关速度，有助于减少开关损耗，提高开关频率，适用于高频开关电源设计。
　　LTL30EJBKNN还具有良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。
　　其封装设计具备良好的散热性能，能够有效降低结温，延长器件使用寿命。
　　同时，该器件符合RoHS环保标准，适合绿色电子产品设计要求。

LTL30EJBKNN 主要应用于需要高效率、高电流处理能力的电源管理系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关、LED照明驱动电路以及各种工业控制设备中的功率开关部分。
　　其高可靠性和紧凑的封装形式使其成为车载电子系统、消费类电子产品、通信设备以及工业自动化设备中的理想选择。
　　例如，在汽车电子系统中，它可以用于电源管理模块、电机控制电路、车载充电器等关键部位。

R6004END、Si4410DY、IRF3710、FDP3370、NTMFS4843N