时间：2025/7/11 13:11:25
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FN18X181K500PSG是一款高压MOSFET功率器件，主要应用于开关电源、电机驱动和功率转换等场景。该芯片采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的耐压能力，能够在高频条件下提供高效的性能表现。
这款芯片属于N沟道增强型场效应晶体管，适合用于需要高效率和低损耗的电路设计中。
型号：FN18X181K500PSG
类型：N沟道增强型MOSFET
封装形式：TO-247
最大漏源电压(Vds)：1800V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：30mΩ
总功耗(Ptot)：300W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
存储温度范围：-65℃ to +200℃
FN18X181K500PSG具备以下显著特点：
1. 高击穿电压：高达1800V的最大漏源电压使其适用于高压环境下的应用。
2. 低导通电阻：仅30mΩ的导通电阻可有效减少导通损耗，提升系统效率。
3. 快速开关速度：通过优化的设计，能够实现更快的开关响应时间，降低开关损耗。
4. 高可靠性：支持高温工作环境（最高+175℃），确保在严苛条件下的稳定性。
5. 稳定性：具备良好的抗雪崩能力和热稳定性，能应对复杂的负载条件。
6. 封装优势：采用TO-247封装形式，散热性能优越，便于集成到大功率系统中。
FN18X181K500PSG广泛适用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)：作为主开关管，应用于各种AC/DC和DC/DC转换器。
2. 逆变器：用于光伏逆变器、UPS不间断电源等设备。
3. 电机驱动：为工业电机控制提供高效的功率输出。
4. 充电器：在电动车充电器和其他高功率充电解决方案中发挥重要作用。
5. 能量存储系统：用作电池管理系统中的关键功率开关组件。
6. 工业自动化：用于伺服驱动器、PLC等工业设备的功率控制部分。
IRFP260N
FDP18N18
STP18NM50
IXTH50N180T2
