时间：2025/9/14 17:33:26
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BUK9209-40B,118是一款由NXP Semiconductors生产的高性能N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的功率转换应用，如电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关。BUK9209-40B采用先进的TrenchMOS技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优良的热性能，适用于需要高效能和紧凑设计的电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：40V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：90A
导通电阻（Rds(on)）：最大5.5mΩ @ Vgs=10V
功率耗散（Ptot）：150W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-220AB
BUK9209-40B,118具有多项优异特性，确保其在各种高功率应用场景中稳定运行。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高电流承载能力（高达90A）使其适用于大功率负载的控制。此外，BUK9209-40B采用了先进的TrenchMOS技术，提高了单位芯片面积的导电能力，同时降低了开关损耗。该MOSFET具备优良的热稳定性，能够在高温环境下长时间工作，且封装形式为TO-220AB，便于安装和散热。其栅极设计支持快速开关操作，适用于高频开关电源和电机控制应用。此外，该器件具有良好的短路和过载保护能力，增强了系统的可靠性。
在制造工艺方面，BUK9209-40B采用高纯度硅基材料和先进的封装技术，确保了器件的长期稳定性和耐久性。其栅极氧化层经过优化，具有较高的击穿电压容忍度，从而提高了整体的耐用性和抗干扰能力。该MOSFET还具有较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），有助于减少开关过程中的能量损耗，提高响应速度。这些特性使其成为工业电源、电动工具、电动车控制器和消费类电源设备中的理想选择。
BUK9209-40B,118广泛应用于需要高效率、高电流和低导通损耗的电力电子系统中。常见应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备和高功率LED驱动器。此外，它也适用于电动汽车充电模块、不间断电源（UPS）以及高功率密度电源适配器等高要求的应用场景。由于其优异的热性能和电气特性，该MOSFET能够在高频开关条件下保持高效运行，适合用于需要紧凑设计和高可靠性的现代电源系统。
IRF3710, STP90N40F6, FDP90N40
