时间：2025/6/21 4:53:19
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STF26NM60N 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 沱道 MOSFET。这款器件采用先进的制造工艺，具有高效率和低导通电阻的特点，适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用领域。
该 MOSFET 采用了 TO-220AC 封装形式，便于散热管理，并且在高频开关应用中表现出色。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：26A
栅极阈值电压：4V
导通电阻（典型值）：350mΩ
功耗：180W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-220AC
STF26NM60N 的主要特性包括：
1. 高击穿电压（600V），确保其在高压环境下可靠运行。
2. 极低的导通电阻（350mΩ 典型值），减少了传导损耗，提高了系统效率。
3. 快速开关速度，适用于高频电路设计，降低开关损耗。
4. 大电流承载能力（26A 连续漏极电流），使其能够满足大功率应用需求。
5. 宽广的工作温度范围（-55℃ 至 +150℃），保证了器件在极端环境下的稳定性。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
STF26NM60N 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），如适配器、充电器等。
2. DC-DC 转换器，用于工业控制或汽车电子系统。
3. 电机驱动电路，特别是在需要高电压和大电流的应用中。
4. UPS（不间断电源）系统中的功率转换部分。
5. 各种逆变器应用，例如太阳能逆变器和家电逆变器。
6. 电动工具和家用电器中的功率控制模块。
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