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IXGX32N170AH1 发布时间 时间:2023/3/6 14:36:37 查看 阅读:412

    制造商: IXYS

    封装 / 箱体: PLUS247

    集电极—发射极最大电压 VCEO: 1700 V

  

目录

概述

    制造商: IXYS

    封装 / 箱体: PLUS247

    集电极—发射极最大电压 VCEO: 1700 V

    集电极—射极饱和电压: 5 V

    栅极/发射极最大电压: 20 V

    集电极最大连续电流 Ic: 32 A

    封装: Box

    配置: Single

    最大工作温度: + 150 C

    最小工作温度: - 55 C


资料

厂商
IXYS

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IXGX32N170AH1参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型NPT
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1700V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)5V @ 15V,21A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)32A
  • 功率 - 最大350W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装PLUS247?-3
  • 包装