时间：2025/12/23 22:04:52
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FDS6930B 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适合用于各种高效能的电源管理应用。其封装形式为 TO-252 (DPAK)，适合表面贴装技术 (SMT) 工艺。
FDS6930B 的设计使其能够广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、同步整流器以及电机驱动等场景。由于其低 Rds(on) 特性，可以显著降低传导损耗并提高系统效率。
最大漏源电压 Vds：40V
最大栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：7.8A
导通电阻 Rds(on)：18mΩ（在 Vgs=10V 时）
栅极电荷 Qg：10nC
总电容 Ciss：100pF
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗，提升整体效率。
2. 高速开关性能，适合高频开关应用。
3. 小型化封装设计，节省 PCB 空间，便于实现紧凑型设计。
4. 具备良好的热稳定性，可在宽温范围内可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 提供优越的 ESD 保护能力，增强器件的可靠性。
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC-DC 转换器的核心功率级元件。
3. 电池供电设备中的负载开关。
4. 各类电机驱动电路中的功率开关。
5. LED 驱动器中的电流调节开关。
6. 通信设备及消费类电子产品的电源管理系统。
FDS6930A, FDMQ8203, IRF7832
