时间：2025/5/23 14:15:41
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FN03N8R2C500PLG是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率开关器件，适用于高频、高效率的电力电子应用。该型号为常关型（enhancement-mode）氮化镓场效应晶体管（eGaN FET），具有极低的导通电阻和快速的开关性能，能够显著提高电源转换系统的效率并减小系统体积。
该芯片采用先进的封装技术，具备良好的散热性能和电气隔离特性，同时支持高达100V的工作电压。其典型应用场景包括DC-DC转换器、AC-DC适配器、快充设备以及无线充电模块等。
最大漏源电压：100V
最大连续漏极电流：8A
导通电阻（典型值）：50mΩ
栅极电荷：4nC
反向恢复时间：10ns
工作温度范围：-40℃至+125℃
封装形式：PQFN5x6
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗，提升整体效率。
2. 快速开关能力，可实现MHz级别的开关频率，从而减小磁性元件的尺寸和重量。
3. 内置优化的ESD保护电路，增强器件的抗静电能力。
4. 高度集成的设计减少了外围元件的需求，简化了PCB布局。
5. 热性能优越，确保在高负载条件下的稳定运行。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
1. USB PD快充适配器
2. 开关电源（SMPS）中的同步整流
3. DC-DC降压/升压转换器
4. LED驱动电源
5. 无线充电发射端及接收端电路
6. 消费类电子产品的高效电源管理解决方案
FNE03N80L2C500PLG
GAN038-650WSA
TPG2203N100L
