时间：2023/4/12 11:51:10
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NZQA5V6XV5T1G技术参数
雪崩电压VBRmin(V)：5.320
雪崩电压VBRnom(V)：5.600
雪崩电压VBRmax(V)：5.880
IT(mA)：1
最大反向漏电流IR(nA)：1
峰值反向工作电压VRWM(V)：3
最大反向浪涌电流Ipp(A)：10
最大反向电压(钳位电压)Vc(V)：10.500
最大齐纳阻抗Zzt(W)：－
封装/温度(℃)：SOT553 /-55~150
描述：四 TVS 阵列
| 厂商 |
|---|
| ON Semiconductor |
