晶体管类型：NPN型
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：150mA
　　最大功率耗散（PD）：300mW
　　电流增益（hFE）：110至800（取决于测试条件）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-92或SOT-23（根据具体版本）

C5027H-R 晶体管具有多项优良特性，适用于广泛的电子设计应用。其高过渡频率（fT）达到100MHz，使其非常适合用于高频信号放大和处理电路。此外，该晶体管具备较高的电流增益（hFE），在不同工作条件下仍能保持稳定放大性能，适用于低噪声放大器和前置放大器设计。
　　该晶体管的最大集电极电流为150mA，支持中等功率的开关应用。同时，其最大集电极-发射极电压为30V，能够在相对较高的电压环境下可靠工作。C5027H-R的封装形式通常为TO-92或SOT-23，体积小巧，便于在PCB布局中使用，同时具备良好的散热能力。
　　该器件的工作温度范围较宽，从-55°C到+150°C，适应了多种恶劣工作环境，包括工业控制和汽车电子系统。其最大功率耗散为300mW，确保在连续工作状态下仍能保持较低的温升，提高了系统的稳定性和可靠性。

C5027H-R 晶体管广泛应用于多个电子领域。在音频放大电路中，由于其高增益和低噪声特性，常被用作前置放大器或信号增强器。在数字电路和微控制器系统中，该晶体管可用于驱动LED、继电器和小型电机等负载，实现高效的开关控制。
　　此外，C5027H-R适用于射频（RF）和中频（IF）放大器设计，尤其在无线通信设备和接收器电路中表现出色。由于其高频特性，该晶体管也可用于振荡器和混频器等高频信号处理模块。
　　在工业自动化和控制设备中，C5027H-R可用于传感器信号放大、继电器驱动以及电源管理模块。其宽工作温度范围也使其适用于汽车电子系统，如车载音频设备、点火控制系统和车载充电器。

2N3904, BC547, 2N4401