2N7002K-H 时间：2025/8/13 16:11:39 阅读：6

2N7002K-H 是一款常用的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于低电压开关和逻辑电平转换等场景。该器件采用 SOT-23 封装，具有小尺寸、低导通电阻、高开关速度等优点。2N7002K-H 通常用于数字电路、电源管理和信号控制等应用，是电子设计中非常基础且重要的元件之一。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：60V
　　最大栅源电压 Vgs：±20V
　　最大连续漏极电流 Id：300mA
　　最大功耗：300mW
　　导通电阻 Rds(on)：5Ω（典型值）
　　阈值电压 Vgs(th)：1V 至 3V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

2N7002K-H 的主要特性之一是其高开关速度，这使得它在数字电路和高速开关应用中表现出色。
　　该器件的低导通电阻特性有助于降低导通状态下的功率损耗，提高整体效率。
　　此外，2N7002K-H 具有宽广的工作温度范围（-55°C 至 150°C），使其适用于各种环境条件下的工作。
　　其 SOT-23 小型封装形式不仅节省空间，还便于 PCB 布局和自动化装配。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽（1V 至 3V 的阈值电压），能够适应多种控制电路的需求，尤其是在逻辑电平转换和缓冲电路中表现优异。
　　由于其可靠性和稳定性，2N7002K-H 常用于工业控制、消费电子、通信设备等多个领域。

应用

2N7002K-H 常见于低电压开关电路，例如用于控制 LED、继电器或小型电机的开关应用。
　　在数字电路中，它常用于逻辑电平转换，将低电压信号（如 3.3V 或 5V）转换为更高电压信号以驱动外部设备。
　　此外，它也可用于电源管理电路中，例如电池供电设备中的电源切换或负载控制。
　　由于其高速开关特性，2N7002K-H 也适用于 PWM（脉宽调制）控制和信号缓冲等应用。
　　在通信设备中，该器件可用于信号路由和数据传输控制。
　　在工业自动化系统中，它可用于控制执行机构或传感器的电源供应。