时间：2025/8/24 8:48:10
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HUF76407D是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用了先进的沟槽技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于高效率电源转换器、电机控制、电池管理系统以及工业自动化设备。HUF76407D采用TO-252（DPAK）封装形式，具有良好的热性能和可靠性，适合在中高功率应用场景中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极电流（ID）：110A（最大）
漏源电压（VDS）：75V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：7.4mΩ @ VGS=10V
功率耗散（PD）：140W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
HUF76407D具有出色的电气性能和热管理能力，其主要特性包括低导通电阻、高电流能力和优异的开关性能。该器件的Rds(on)仅为7.4mΩ，在VGS=10V时可显著降低导通损耗，提高系统效率。其漏极电流可达110A，适用于高功率密度设计。此外，HUF76407D具备快速开关能力，开关损耗低，有助于提升DC-DC转换器、同步整流器等应用的效率。
该MOSFET采用先进的沟槽技术，提高了芯片的电流密度和导通性能。TO-252封装提供了良好的散热能力，适用于表面贴装（SMT）工艺，增强了产品的可靠性和组装效率。HUF76407D还具备高雪崩能量耐受能力，适用于需要高稳定性和耐用性的工业和汽车应用。
HUF76407D广泛应用于各种功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统。其高电流能力和低导通电阻特性使其成为高性能电源转换和功率控制应用的理想选择。此外，该器件也可用于工业自动化设备、电源管理模块和储能系统。
HUF76407D的替代型号包括IRF1404（Infineon）、NTMFS4C10N（onsemi）、SiR142DP（Vishay）等具有相似电气特性和封装的N沟道MOSFET器件。
