STP17N25 时间：2025/7/23 1:09:14 阅读：8

STP17N25是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于各类功率转换和控制电路中。该器件设计用于高效能的开关应用，具备低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性。STP17N25采用TO-220封装形式，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、电池充电器等高功率应用场合。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：17A
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：250V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.18Ω（最大）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散（Pd）：125W

特性

STP17N25 MOSFET具有多项优异特性，确保其在高性能功率应用中的稳定性和效率。首先，其漏极-源极击穿电压高达250V，能够承受较高的电压应力，适用于中高电压系统。其次，导通电阻Rds(on)最大为0.18Ω，较低的导通电阻有助于减少导通损耗，提高系统效率。
　　此外，该器件的栅极驱动电压范围为±30V，具备较强的抗过压能力，同时在栅极保护方面表现良好。STP17N25的TO-220封装提供了良好的散热性能，确保在高电流条件下仍能维持稳定工作温度。
　　该MOSFET的热阻（Rth）较低，保证了在高功率工作条件下的热稳定性，适用于持续高负载运行的场合。同时，其封装形式易于安装和散热管理，广泛兼容于各种电源模块和功率电路设计。

应用

STP17N25常用于多种功率电子系统中，如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动器和电池管理系统。其高耐压特性和低导通电阻使其非常适合用于反激式和正激式开关电源设计。
　　在工业自动化控制方面，STP17N25可用于PLC输出模块和继电器替代应用，提供更高的开关速度和更长的使用寿命。此外，该器件也可应用于太阳能逆变器和LED照明驱动电路，以实现高效能的能量转换。