时间：2025/9/7 13:04:01
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HN58V65AT-10SR是一款由日本电气公司（NEC）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率和高性能的电子电路中。这款MOSFET设计用于高电流、高速开关应用，具有低导通电阻和高耐压特性。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：20V
最大漏极电流（ID）：80A（连续）
导通电阻（RDS(on)）：约0.0065Ω（典型值）
功耗（PD）：200W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247AD
HN58V65AT-10SR具有多项显著的性能特点，使其适用于多种高功率应用场景。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）可以显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。其次，该MOSFET具有高耐压能力，漏源电压可达100V，使其适用于多种中高功率应用。此外，该器件能够承受高达80A的连续漏极电流，满足高电流需求的设计。其高功率耗散能力（200W）确保了在高负载条件下仍能保持稳定运行。
HN58V65AT-10SR采用了先进的沟槽栅极技术和优化的芯片设计，从而在保持低导通电阻的同时，也实现了快速的开关响应。这使得该器件在高频开关电路中表现优异，适用于DC-DC转换器、电源管理和电机控制等应用。此外，其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）使其能够在各种环境条件下可靠运行。
该MOSFET采用TO-247AD封装，具备良好的散热性能，有助于在高功率运行时有效降低温度，延长器件寿命。这种封装形式也便于安装在散热片上，进一步提升热管理效率。
HN58V65AT-10SR适用于多种高功率和高效率电子系统。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电动工具、电动车驱动器、电机控制以及工业自动化设备中的功率控制电路。此外，该器件也常用于高电流负载的开关控制，如LED照明驱动和太阳能逆变器。
SiHF60N100E、IRF1405、STP80NF55、FDH8800
