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DMP2900UW 发布时间 时间:2025/5/22 22:37:23 查看 阅读:7

DMP2900UW 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用超小型封装设计,主要用于高效能的开关应用。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合于负载开关、同步整流器以及 DC-DC 转换器等应用中。该器件具有优异的热性能和电气稳定性,能够在高温环境下保持可靠运行。
  此外,DMP2900UW 具有较小的封装尺寸,便于在高密度电路板上进行布局,并且能够减少整体设计的占位面积。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:1.8A
  导通电阻(典型值):45mΩ
  栅极电荷:7nC
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装类型:SOT-896

特性

DMP2900UW 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),从而减少了导通损耗并提高了效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
  3. 小型化封装设计,节省 PCB 空间。
  4. 优秀的热性能,确保在高温条件下的稳定运行。
  5. 强大的静电防护能力,可有效防止 ESD 对器件造成损坏。
  6. 宽泛的工作温度范围,适应多种恶劣环境的应用需求。

应用

DMP2900UW 广泛应用于以下领域:
  1. 移动设备中的负载开关。
  2. 各类便携式电子产品的电源管理。
  3. DC-DC 转换器中的同步整流功能。
  4. 电池供电系统的保护与控制。
  5. LED 驱动器及背光控制。
  6. 消费类电子产品中的小型化电源解决方案。

替代型号

DMN2900UF
  DMN2900LG
  NTMFS4828NL

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