DMP2900UW 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用超小型封装设计,主要用于高效能的开关应用。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合于负载开关、同步整流器以及 DC-DC 转换器等应用中。该器件具有优异的热性能和电气稳定性,能够在高温环境下保持可靠运行。
此外,DMP2900UW 具有较小的封装尺寸,便于在高密度电路板上进行布局,并且能够减少整体设计的占位面积。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:1.8A
导通电阻(典型值):45mΩ
栅极电荷:7nC
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装类型:SOT-896
DMP2900UW 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),从而减少了导通损耗并提高了效率。
2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
3. 小型化封装设计,节省 PCB 空间。
4. 优秀的热性能,确保在高温条件下的稳定运行。
5. 强大的静电防护能力,可有效防止 ESD 对器件造成损坏。
6. 宽泛的工作温度范围,适应多种恶劣环境的应用需求。
DMP2900UW 广泛应用于以下领域:
1. 移动设备中的负载开关。
2. 各类便携式电子产品的电源管理。
3. DC-DC 转换器中的同步整流功能。
4. 电池供电系统的保护与控制。
5. LED 驱动器及背光控制。
6. 消费类电子产品中的小型化电源解决方案。
DMN2900UF
DMN2900LG
NTMFS4828NL