时间：2025/11/8 4:14:13
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KDZ4.7BTR是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压参考和稳压应用。该器件的标称齐纳电压为4.7V，属于低功率齐纳二极管系列，适用于需要精确电压基准的小信号电路中。KDZ4.7BTR采用SOD-123小型表面贴装封装，具有体积小、响应速度快、热稳定性好等特点，非常适合在空间受限的便携式电子设备中使用。该器件广泛应用于电源管理、信号调节、过压保护以及各种模拟和数字电路中的参考电压源设计。其制造工艺符合AEC-Q101车规级可靠性标准，部分型号可用于汽车电子系统中，具备良好的长期稳定性和可靠性。此外，KDZ4.7BTR在生产过程中遵循环保要求，符合RoHS指令，不含铅等有害物质，适合无铅焊接工艺。
类型：齐纳二极管
封装/外壳：SOD-123
标称齐纳电压 VZ：4.7V
测试电流 IZT：5mA
最大齐纳阻抗 ZZT：35Ω
最大反向漏电流 IR：1μA
功率耗散 Ptot：200mW
工作结温范围：-55°C ~ +150°C
温度系数：+0.06%/°C
KDZ4.7BTR的电气特性经过精密设计，能够在宽温度范围内提供稳定的4.7V参考电压，适用于对精度要求较高的应用场景。其在5mA的测试电流下表现出较低的动态阻抗（最大35Ω），这意味着当负载或输入条件发生变化时，输出电压波动较小，从而提高了系统的稳定性。该器件具有优异的电压容差控制能力，典型值为±2%，确保了批次间的一致性，便于批量生产和自动化装配。由于采用了先进的硅扩散工艺，KDZ4.7BTR具备出色的长期稳定性，即使在高温环境下长时间运行，其电压漂移也极为有限。此外，该器件的温度系数为正且较小，约为+0.06%/°C，在环境温度变化时能够保持相对恒定的输出性能，特别适合用于温度敏感型电路中作为基准源。SOD-123封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，使其在紧凑型高密度布局中仍能可靠工作。器件的反向漏电流极低，在未达到击穿电压前几乎不导通，有效降低了待机功耗。KDZ4.7BTR还具备快速响应能力，能在瞬态过压事件中迅速进入导通状态，起到一定的保护作用。整体而言，这款齐纳二极管结合了高精度、小尺寸与高可靠性，是现代电子系统中理想的电压参考解决方案。
值得一提的是，KDZ4.7BTR的设计兼顾了工业级与汽车级应用需求。其宽达-55°C至+150°C的工作结温范围使其可在极端环境条件下正常运行，例如发动机舱附近或户外通信设备内部。器件通过严格的可靠性认证，包括高温反偏寿命测试（HTRB）、温度循环测试（TCT）和高压蒸煮试验（PCT），保证了在严苛工况下的长期耐久性。此外，ROHM在其制造流程中实施了严格的质量管控体系，确保每批产品都具有一致的电学特性和机械强度。对于需要更高功率处理能力的应用，用户可考虑并联多个KDZ4.7BTR以分担电流，但需注意均流问题。总体来看，该器件凭借其优良的综合性能，已成为众多消费类电子产品、工业控制系统及车载模块中不可或缺的基础元件。
KDZ4.7BTR常用于低压稳压电路、电压参考源、电源监控电路、信号电平转换、ADC/DAC偏置电路、过压保护钳位电路以及各类便携式电子设备中的基准电压生成。它也广泛应用于汽车电子系统如传感器接口、ECU辅助电源、车载信息娱乐系统的稳压模块中。此外，在工业控制、通信设备、医疗仪器和智能家居产品中也有广泛应用。
MMBZ5230B-7-F,MZ4B7STN,TZM4.7B
