时间：2025/5/23 6:41:24
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FQB9N15是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和功率管理应用。该器件采用TO-252封装，适合于需要高效率和低导通电阻的应用场景。
FQB9N15具有较低的导通电阻（Rds(on)），这使得它非常适合用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及各种电源管理模块中。其出色的电气性能使其成为设计紧凑且高效的电子电路的理想选择。
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：9A
导通电阻(Rds(on))：0.4Ω
功耗(Pd)：18W
工作温度范围(Tj)：-55℃ to +150℃
1. 低导通电阻以减少功率损耗。
2. 快速开关速度，适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，提高系统可靠性。
4. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
5. 小型化封装，节省PCB空间。
6. 内置ESD保护，增强抗静电能力。
7. 稳定的电气性能，适用于严苛的工作环境。
1. 开关电源(SMPS)和适配器。
2. DC-DC转换器和逆变器。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 负载开关和电池管理。
5. 工业自动化设备中的功率控制。
6. 消费类电子产品中的电源管理模块。
7. LED照明驱动电路。
IRFZ44N
STP90NF06
FQP12N10
AO3400
