NGTB10N60FG 时间：2025/5/21 12:25:46 阅读：4

NGTB10N60FG是一款由NewGem公司生产的高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用了先进的制造工艺，具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度的特点。它主要适用于各种电源转换和电机驱动应用中，能够显著提高效率并降低功耗。
　　这款MOSFET的额定电压为600V，适合在高压环境中工作，同时其封装形式为DPAK（TO-252），便于安装和散热管理。由于其卓越的性能表现，NGTB10N60FG被广泛应用于开关电源、逆变器、DC-DC转换器以及LED驱动器等领域。

参数

最大漏源电压：600V
　　连续漏极电流：10A
　　导通电阻（典型值）：300mΩ
　　栅极电荷：30nC
　　开关时间：ton=45ns, toff=85ns
　　结温范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：DPAK（TO-252）

特性

1. 高耐压能力：支持高达600V的工作电压，适用于多种高压应用场景。
　　2. 低导通电阻：典型值仅为300mΩ，有助于减少导通损耗，提高系统效率。
　　3. 快速开关性能：短开关时间和低栅极电荷使得该器件能够在高频条件下高效运行。
　　4. 稳定性强：即使在极端温度范围内也能保持良好的电气性能。
　　5. 小型化设计：采用DPAK封装，不仅节省空间，还能有效改善散热效果。

应用

NGTB10N60FG非常适合用于需要高效功率转换的应用场景，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：提供高效的直流输出，满足各种设备的供电需求。
　　2. 逆变器：用于将直流电转化为交流电，常用于太阳能发电系统和不间断电源（UPS）。
　　3. DC-DC转换器：实现不同电压等级之间的转换，广泛应用于汽车电子和工业控制。
　　4. LED驱动器：精确控制LED的亮度和颜色，提升照明系统的整体性能。
　　5. 电机驱动：支持无刷直流电机等复杂负载的驱动控制，确保平稳运行。