SZESD1014MUTAG是一款高性能的瞬态电压抑制二极管(TVS二极管),主要用于保护电子设备免受静电放电(ESD)、雷击和其他瞬态电压浪涌的损害。该器件采用超小型封装设计,适用于对空间要求较高的应用场合。
SZESD1014MUTAG具有低电容、低漏电流和快速响应时间的特点,能够有效保护高速数据线路和射频电路。其工作电压范围和高能量吸收能力使其成为消费电子、通信设备和工业控制领域中理想的过电压保护解决方案。
类型:瞬态电压抑制二极管
工作电压:5.8V
反向 standoff 电压:5.8V
峰值脉冲电流:7A
最大箝位电压:10.6V
结电容:1.2pF
反向泄漏电流:1μA
响应时间:1ps
封装形式:SOD-962
1. 极低的结电容(1.2pF),适合高速信号线路保护。
2. 快速响应时间(1ps),能及时抑制瞬态电压浪涌。
3. 高能量吸收能力,在瞬态事件下可承受7A的峰值脉冲电流。
4. 超小型封装(SOD-962),节省PCB布局空间。
5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
6. 反向漏电流低至1μA,静态功耗小。
7. 稳定的工作性能,能够在恶劣环境下长期使用。
1. USB接口保护
2. HDMI接口保护
3. 射频模块保护
4. 移动设备中的天线端口保护
5. 工业自动化设备中的数据通信线路保护
6. 无线通信设备中的ESD防护
7. 消费类电子产品中的高速数据线路保护