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NCP5104DR2G 发布时间 时间:2025/6/18 9:12:42 查看 阅读:4

NCP5104DR2G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的同步降压直流-直流转换器。该芯片集成了高边和低边功率 MOSFET,具有高效率和小尺寸的特点,适用于各种需要紧凑型电源解决方案的应用场景。
  该器件支持高达 4A 的连续输出电流,并提供精准的输出电压调节能力,非常适合便携式设备、通信系统以及消费类电子产品中的电源管理需求。

参数

输入电压范围:3V 至 28V
  输出电流:4A
  开关频率:可调(通常为 300kHz 至 2.2MHz)
  封装形式:SOIC-8
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  待机电流:典型值 40μA
  效率:高达 97%
  控制模式:固定频率峰值电流模式

特性

NCP5104DR2G 具有以下主要特性:
  1. 集成高边和低边 MOSFET,简化了设计并减少了外部元件的数量。
  2. 支持宽输入电压范围,能够适应多种供电环境。
  3. 内置补偿功能,使得电路设计更加简便。
  4. 提供精准的使能引脚阈值,便于实现系统的电源时序控制。
  5. 可编程软启动功能,避免了上电时的电流冲击。
  6. 提供过流保护、过温保护和短路保护等多重保护机制,增强了系统的可靠性。
  7. 支持外部同步时钟输入,有助于减少电磁干扰(EMI)。

应用

NCP5104DR2G 广泛应用于以下领域:
  1. 便携式电子设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的充电电路。
  2. 工业自动化设备中的电源模块。
  3. 网络通信设备如路由器和交换机的辅助电源。
  4. 消费类电子产品中的高效电源转换方案。
  5. 汽车电子中的非关键性负载电源。
  由于其高效率和集成化的设计,该芯片特别适合对空间和散热有严格要求的场合。

替代型号

NCP5103DG2T1G, NCP5105DG2T1G, NCP5106DG2T1G

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NCP5104DR2G参数

  • 标准包装2,500
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列-
  • 配置半桥
  • 输入类型非反相
  • 延迟时间620ns
  • 电流 - 峰250mA
  • 配置数1
  • 输出数2
  • 高端电压 - 最大(自引导启动)600V
  • 电源电压10 V ~ 20 V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NCP5104DR2G-NDNCP5104DR2GOSTR