类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：26A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.21Ω
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-247

IXFH26N60P3具备一系列出色的电气和热性能特性，适用于高功率应用场景。首先，其导通电阻（RDS(on)）为0.21Ω，能够在导通状态下提供较低的功率损耗，从而提高整体系统的效率。其次，该MOSFET的漏源电压为600V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压功率转换器和电机控制应用。
　　此外，IXFH26N60P3采用了先进的硅工艺和封装技术，确保了良好的热管理能力。该器件的TO-247封装有助于提高散热效率，使MOSFET在高负载条件下仍能保持稳定运行。同时，该MOSFET的栅源电压范围为±20V，具有较高的栅极驱动兼容性，适用于多种驱动电路设计。
　　在开关性能方面，IXFH26N60P3具有较低的开关损耗，使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、逆变器和电源管理模块。此外，该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够在短时过载或瞬态条件下提供更高的可靠性。

IXFH26N60P3广泛应用于各种电力电子系统，包括但不限于电源供应器、电机驱动器、UPS系统、太阳能逆变器、工业自动化设备和智能电网设备。由于其高耐压能力和良好的导通性能，该MOSFET适用于需要高效能功率开关的场合，如PFC（功率因数校正）电路、DC-AC逆变器以及高功率开关电源。此外，该器件也可用于电动汽车充电系统、储能系统以及智能家电中的功率控制模块。

IXFH26N60Q3, IRFP4668, STW26NM60ND, FGL26N60SFD