时间：2025/5/13 9:12:05
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S-818A33AUC-BGNT2G 是一种高精度、低功耗的陶瓷电容器，采用多层陶瓷工艺制造。该元器件具有优异的频率特性和温度稳定性，适用于各种高频电路和信号滤波场景。
该型号属于 S 系列，设计为表面贴装型 (SMD)，便于自动化生产，其小型化设计节省了PCB空间。
封装：0402
额定电压：16V
电容值：33pF
公差：±5%
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
介质材料：C0G (NP0)
DC Bias特性：无影响
ESR(等效串联电阻)：≤10mΩ
尺寸：0.4mm x 0.2mm
S-818A33AUC-BGNT2G 具有以下主要特点：
1. 高稳定性和可靠性，适合要求严格的射频和无线通信应用。
2. C0G（NP0）介质材料确保在宽温度范围内电容值变化极小，温度系数接近零。
3. 超低ESR使其非常适合高频去耦和信号滤波。
4. 小型化设计有助于减少PCB占用面积，满足现代电子设备对紧凑性需求。
5. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
S-818A33AUC-BGNT2G 可广泛应用于以下领域：
1. 射频滤波器设计，如手机、WiFi模块和其他无线通信设备中的高频信号处理。
2. 振荡电路中的负载电容，用于晶体振荡器或谐振器。
3. 去耦电容，以消除电源噪声并保持供电稳定。
4. 医疗电子设备中的信号调理电路。
5. 工业控制和汽车电子中的高频信号链路部分。
S-818A33AUC-BSNT2G
S-818A33AUC-BMNT2G
KEMET C0G160P330J0402
TDK C3216X5R1C330J040AA
