时间：2025/8/9 11:28:35
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2SK2891-01 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和DC-DC转换器等高频开关电路中。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于高效率电源系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）：80A（最大值）
导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ（最大值）
封装类型：TO-220SIS
2SK2891-01 MOSFET具有多个显著特性，适用于高性能电源设计。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可降低导通损耗，提高整体系统效率。该特性尤其适用于高电流应用，如DC-DC转换器、电机驱动器和电源管理模块。
其次，该MOSFET采用先进的沟槽结构技术，优化了导通和开关性能，使其在高频开关环境下仍能保持稳定工作。此外，该器件具有较高的栅极绝缘能力，支持±20V的栅源电压，确保在高噪声环境中的稳定操作。
在封装方面，2SK2891-01采用TO-220SIS封装，具备良好的散热性能，有助于在高负载条件下维持较低的结温。该封装还支持通孔安装，适用于工业级和汽车电子应用。
最后，该MOSFET具有较高的耐用性和可靠性，在宽温度范围内（-55°C至150°C）均可稳定运行，适用于严苛环境条件下的电源设计。
2SK2891-01 MOSFET主要应用于高效率电源系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统。此外，该器件还可用于电机控制、LED驱动器以及汽车电子系统中的功率调节模块。其优异的导通特性和高频性能使其成为高密度电源设计的理想选择。
SiR876DP, IRF1404, SQM120N30-01
