LMBTH10QLT1G 时间：2025/8/13 21:37:33 阅读：27

LMBTH10QLT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于高频NPN晶体管系列。该器件专为高频放大和开关应用而设计，具有优异的高频响应和低噪声特性，适用于射频（RF）和模拟电路中的关键设计。

参数

类型：NPN双极型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：200mW
　　过渡频率（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（取决于测试条件）
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

LMBTH10QLT1G 的主要特性之一是其出色的高频性能，过渡频率（fT）高达250MHz，使其非常适合用于射频放大器、中频放大器以及高速开关电路。该晶体管具有低噪声系数，在低电压和低电流条件下仍能保持良好的信号放大性能，适合用于便携式通信设备和无线模块。此外，其SOT-23小型封装不仅节省空间，还具备良好的热稳定性和可靠性，适用于表面贴装工艺。
　　在电气特性方面，LMBTH10QLT1G 的电流增益（hFE）范围较宽，从110到800不等，这使得它在不同的偏置条件下都能提供稳定的增益表现。最大集电极-发射极电压为30V，集电极电流能力为100mA，能够胜任多种中低功率模拟电路设计需求。此外，其最大功耗为200mW，支持在有限的散热条件下正常工作。
　　该器件还具有良好的温度稳定性，可在-55°C至+150°C的工业级温度范围内可靠运行，适用于各种恶劣环境下的电子系统。安森美半导体在制造工艺上采用了高纯度材料和先进的工艺控制，确保LMBTH10QLT1G 在高频工作时仍具备优异的线性度和稳定性。

应用

LMBTH10QLT1G 主要应用于射频前端模块、无线通信设备、低噪声放大器（LNA）、中频放大器、混频器、振荡器、调制解调器以及高速开关电路等。它广泛用于蓝牙模块、Wi-Fi模块、ZigBee设备、GPS接收器、无线传感器网络和便携式音频设备中。此外，该晶体管也常用于模拟电路中的信号放大与调节，如音频放大器的前置放大级、电压调节电路以及各类传感器信号处理电路。