时间：2025/7/1 19:58:22
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SIF10N80C是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性。它广泛应用于各种电力电子设备中，如开关电源、电机驱动、逆变器等场景，能够实现高效能的功率转换和控制。
SIF10N80C的设计使其能够在高电压条件下工作，同时保持较低的功耗和良好的热稳定性。这种性能使得它成为许多高压应用的理想选择。
最大漏源电压：800V
持续漏极电流：10A
导通电阻：3.5Ω
栅极电荷：65nC
输入电容：2400pF
最大功耗：17W
结温范围：-55℃ to 150℃
SIF10N80C具备以下显著特性：
1. 高耐压能力：额定漏源电压高达800V，适用于高压环境下的电力转换。
2. 低导通电阻：在大电流条件下，提供较低的导通损耗。
3. 快速开关速度：由于其优化的栅极电荷和低输入电容设计，可以实现高频操作，减少开关损耗。
4. 良好的热稳定性：即使在高温环境下也能保持稳定运行。
5. 符合RoHS标准：环保无铅封装，满足国际环保法规要求。
6. 可靠性高：经过严格的质量检测，确保长时间使用中的可靠性。
SIF10N80C主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于高效的直流到直流或交流到直流转换。
2. 电机驱动：控制各类电机的启动、停止及调速。
3. 逆变器：在太阳能发电系统或不间断电源（UPS）中作为核心功率元件。
4. 工业自动化设备：例如可编程逻辑控制器（PLC）和伺服系统。
5. 其他高压应用场景：如电动车充电站、LED照明驱动等。
IRFP460, STP10NK80Z
