时间：2025/5/9 18:15:56
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FDS6990AS 是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的半导体制造工艺设计，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特性。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等领域，能够满足各种高效能功率转换需求。
该器件的工作电压范围较广，适用于多种应用场景，同时其封装形式紧凑，便于在空间受限的环境中使用。
V
连续漏极电流：31A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：38nC
总电容：1270pF
工作温度范围：-55℃ to 150℃
FDS6990AS拥有超低的导通电阻，从而减少了功率损耗并提高了系统效率。此外，它的快速开关特性和低栅极电荷使其非常适合高频应用环境。
该器件具备强大的雪崩能力，在过载或短路情况下可提供额外保护。同时，它采用了优化的封装技术以增强散热性能，确保长时间稳定运行。
FDS6690AS还符合RoHS标准，是一种环保型产品，适合现代绿色电子产品的需求。
该芯片主要应用于开关模式电源(SMPS)、同步整流电路、DC-DC转换器、电池管理模块、电机控制电路以及消费类电子设备中的负载开关等功能模块中。
由于其出色的电气性能和可靠性，这款器件也常被用于工业自动化、通信基础设施和汽车电子等高性能领域。
FDP5570N
FDS6694D
IRFZ44N
