制造商：Infineon Technologies (原 Cypress Semiconductor)
　　产品系列：QDR-II+ SRAM
　　存储容量：18 Mbit (256K × 72)
　　供电电压：3.3V ± 0.3V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：144-TQFP (Thin Quad Flat Package)
　　引脚数：144
　　访问时间（tAA）：200 ps
　　最大时钟频率：500 MHz
　　数据速率：1000 Mbps（每时钟周期传输4次数据）
　　接口类型：QDR (Quad Data Rate)
　　时钟架构：差分时钟（K/K#）
　　数据输入/输出：双向数据总线（DQ）
　　刷新模式：无需刷新（SRAM 特性）
　　存取方式：同步突发式读写
　　写入延迟：可配置
　　输出驱动：可编程（通常为 60Ω 或 75Ω）
　　掉电保护：不支持（易失性存储器）

CY7C1512AV18-200BZXI 具备卓越的高性能同步四倍数据速率架构，能够在每个时钟周期内实现四个数据传输操作，显著提升系统带宽利用率。其核心优势在于真正的单周期读写能力，结合流水线式 I/O 架构，在连续读写操作中几乎消除等待时间，极大提高了数据吞吐效率。该器件采用差分时钟信号（K/K#）作为同步基准，有效增强了抗噪声能力和信号完整性，特别适合高频工作环境下的长距离布线或高密度 PCB 设计。
　　该芯片支持自由的突发长度配置，用户可根据实际应用需求设定突发模式（如突发长度为 2 或 4），并可通过 MODE 引脚进行灵活选择。此外，它具备独立的数据输入（D）和输出（Q）端口，实现了真正的分离式读写路径，避免了传统共享总线结构中的冲突问题，进一步提升了并发处理能力。这种分离总线架构尤其适用于需要同时进行高速数据采集与回放的通信系统。
　　为了适应不同系统的电气匹配需求，CY7C1512AV18 提供可编程的输出驱动阻抗控制功能，允许设计者根据走线拓扑调整驱动强度，从而减少反射和串扰，提高信号质量。该器件还集成了内部终止电阻（On-Die Termination, ODT）支持选项，有助于简化外部电路设计并提升高速信号稳定性。
　　在电源管理方面，尽管该芯片为静态随机存储器（SRAM），不具备低功耗睡眠模式，但其 CMOS 工艺设计仍保证了相对较低的动态功耗水平。特别是在空闲状态下，电流消耗明显降低，有利于整体系统能效优化。此外，所有输入引脚均兼容 LVTTL 电平，输出端则提供高性能的 3.3V SDRAM 接口标准，便于与其他主流控制器无缝对接。
　　值得一提的是，CY7C1512AV18-200BZXI 经过严格的质量认证，满足工业级温度规范，可在极端温度条件下保持可靠运行，适用于户外通信基站、工业自动化控制等严苛应用场景。其封装形式采用无铅、符合 RoHS 标准的 144-TQFP，支持自动贴片工艺，适合大规模量产使用。

CY7C1512AV18-200BZXI 主要应用于对带宽和延迟极为敏感的高性能通信与网络系统。典型用途包括核心路由器、多端口交换机、光纤通道设备、SONET/SDH 传输系统以及宽带接入设备等，在这些系统中用于缓存高速数据包、帧缓冲或作为查找表临时存储介质。由于其支持高达 1000 Mbps 的数据速率和极短的访问时间，非常适合用作 FPGA 或 ASIC 芯片之间的高速共享内存桥梁，尤其是在需要频繁读写操作的实时数据处理架构中表现优异。
　　在测试与测量仪器领域，该芯片常被用于数字示波器、逻辑分析仪和高速数据采集系统中，承担大容量中间数据暂存任务，确保采样数据不会因主处理器响应延迟而丢失。此外，在雷达信号处理、视频流处理平台及高性能计算节点中，CY7C1512AV18 可作为关键的高速缓存单元，协助完成复杂的算法运算前后的数据预加载与结果暂存。
　　该器件也广泛用于电信级背板互联系统，配合专用网络处理器构建多层级队列管理系统。其稳定的时序特性和确定性的响应行为使其成为构建高可用性、低抖动通信链路的理想选择。随着 5G 基站和边缘计算设备的发展，这类高性能 QDR SRAM 在前传和中传网络的数据缓冲层中发挥着越来越重要的作用。

CY7C1513AV18-200BZXC
　　CY7C1512AV18-200BZC
　　CY7C1512DV18-200BZI
　　IS61QFW102436BLL-200MLI