时间：2025/5/12 13:22:45
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STW3N150是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装形式。该器件具有高电压耐受能力，适用于多种工业和汽车领域的高压应用。STW3N150设计用于需要低导通电阻、快速开关速度以及高可靠性的电路中，例如电源转换器、电机驱动和负载切换等场景。
该MOSFET的主要特点是其高达1500V的击穿电压（BVdss），这使得它能够承受极端条件下的高压操作，并提供稳定的性能。
最大漏源电压：1500V
连续漏极电流：3.8A
导通电阻（Rds(on)）：16Ω（在Vgs=10V时）
栅极-源极电压：±20V
功耗：25W
结温范围：-55℃至+175℃
STW3N150是一款专为高压应用优化的功率MOSFET。它的主要特性包括：
1. 高达1500V的击穿电压，适合要求严苛的高压环境。
2. 低导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通状态下的功率损耗。
3. 快速开关性能，确保高效运行并降低开关损耗。
4. 高温稳定性，支持最高结温达到175℃，适应各种恶劣工作条件。
5. TO-247封装形式，具备出色的散热性能，便于安装与维护。
此外，STW3N150还符合RoHS标准，满足环保要求。
STW3N150广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。
2. 电机控制：适用于工业电机驱动和家用电器中的电机控制。
3. 汽车电子：如电动车辆的电池管理系统（BMS）、充电电路保护等。
4. 工业自动化设备：例如固态继电器、负载开关和电磁阀驱动。
5. 高压电源管理：如LED驱动器、光伏逆变器和其他高压应用系统。
STW4N150, STW5N150
