时间：2025/6/25 21:25:56
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FDP090N10 是一款由 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-263 封装，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用中。其额定电压为 100V，导通电阻较低，适合需要高效能和低功耗的设计。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：9A
导通电阻：150mΩ
栅极电荷：34nC
输入电容：1870pF
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
FDP090N10 的主要特性包括低导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率；具有快速开关速度，能够降低开关损耗；具备良好的热稳定性和可靠性；内置反向二极管，支持续流功能；并且采用了标准的表面贴装封装形式，便于自动化生产和安装。
此外，该器件还具备较高的雪崩能量能力，增强了在异常条件下的鲁棒性。
FDP090N10 广泛用于各种电力电子领域，包括但不限于开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流、DC-DC 转换器中的高频开关、电池供电设备中的负载控制、工业控制系统的电机驱动电路以及消费类电子产品中的保护电路等。由于其出色的性能，该器件非常适合对效率和散热要求较高的场合。
IRFZ44N
STP90NF10
FQP9N10
