晶体类型：PNP型双极性晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：150mA
　　最大功率耗散：300mW
　　频率范围：100MHz
　　电流增益带宽乘积（fT）：100MHz
　　封装形式：TO-39金属封装
　　存储温度范围：-65°C至+150°C

2N2808A晶体管具有多项显著特性，使其在高频电子电路中表现出色。首先，其高频响应能力使其适用于100MHz范围内的放大和开关应用。此外，晶体管的PNP结构允许其在负电压条件下工作，这在某些特定电路设计中非常有用。
　　该器件的封装采用TO-39金属外壳，提供良好的热管理和机械保护，确保其在高温环境下仍能稳定运行。同时，该封装形式也有助于减少电磁干扰（EMI）的影响，提高电路的可靠性。
　　2N2808A还具有较高的电流增益（hFE），在不同的工作条件下保持稳定，适用于需要高增益的放大电路。晶体管的低噪声特性也使其适合用于前置放大器和其他对噪声敏感的应用场景。
　　此外，2N2808A的功率耗散为300mW，能够在相对较高的电流下运行，而不至于因过热而失效。这一特性使其适用于中等功率的开关电路和驱动电路。

2N2808A晶体管主要应用于高频放大器、射频（RF）电路、中频（IF）放大器、开关电路和逻辑门电路。由于其高频性能和稳定性，它常用于通信设备中的信号放大和调制解调电路。
　　在工业控制系统中，该晶体管可用于传感器信号放大和执行器控制。此外，2N2808A也广泛应用于消费电子产品，如收音机、电视机和音频放大器，作为中频放大器或前置放大器元件。
　　由于其金属封装提供的良好散热性能，该晶体管也可用于需要较高可靠性和稳定性的军事和航空航天设备。

2N2807A, 2N2809, 2N2907