存储容量：8Gbit（1GB）
　　封装类型：TSOP
　　接口类型：NAND
　　工作电压：2.7V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　读取时间：最大50ns
　　编程时间：约200μs/页
　　擦除时间：约2ms/块
　　页面大小：512字节 + 16字节（备用区）
　　块大小：32页/块
　　擦写次数：10万次以上

HY27UK08BGFM-TPCB是一款高性能的NAND闪存芯片，具有以下显著特性：
　　首先，它提供了高达8Gbit的存储容量，能够满足中高端嵌入式设备对数据存储的需求。该芯片采用TSOP封装，尺寸小巧，便于在空间受限的设计中使用。
　　其次，HY27UK08BGFM-TPCB的工作电压范围为2.7V至3.6V，使其适用于多种电源管理方案，具备良好的兼容性和稳定性。其宽广的工作温度范围（-40°C至+85°C）也确保了在各种环境条件下都能正常运行。
　　此外，该芯片支持高速读取操作，最大读取时间为50ns，适用于需要快速访问数据的应用场景。每页的编程时间为约200μs，块擦除时间为约2ms，这保证了较快的写入和擦除速度，提升了整体系统性能。
　　HY27UK08BGFM-TPCB的页面大小为512字节加上16字节的备用区，支持ECC（错误校正码）功能，提高了数据的可靠性和完整性。其擦写寿命可达10万次以上，具备较长的使用寿命和稳定性。
　　最后，该芯片采用了NAND闪存技术，具有较高的集成度和成本效益，适合大规模数据存储应用。

HY27UK08BGFM-TPCB广泛应用于各类嵌入式系统和便携式电子产品中，例如MP3播放器、数码相机、USB存储设备、GPS导航设备、工业控制系统和手持终端设备等。由于其高性能和高可靠性，该芯片也常用于汽车电子系统和通信设备中。

HY27UF081G1M-TPC, K9F1G08U0M, MT29F1G08ABAEAWP