CS7N70是一款由COSMO SEMICONDUCTOR生产的高性能70V高压N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动、LED照明及各种开关电源系统中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术,具备优异的导通电阻和开关性能,能够在高电压和大电流环境下稳定工作。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):70V
最大漏极电流(ID):连续12A
导通电阻(RDS(on)):典型值为8.5mΩ(在VGS=10V时)
栅极电压(VGS):最大±20V
工作温度范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-252(DPAK)、TO-220、DFN5x6等
CS7N70具有低导通电阻特性,能够在高负载条件下提供高效的功率转换性能,降低系统功耗。该器件的栅极设计优化,使得开关过程中的损耗更低,提高了整体能效。此外,CS7N70具备良好的热稳定性和抗过载能力,可在高温环境下长期稳定运行。其高耐压能力(70V)使其适用于多种中高压应用场景,如Buck/Boost转换器、马达控制器和LED恒流驱动电路。CS7N70还内置了快速恢复的体二极管,能够有效抑制反向电流,提高系统可靠性。
在制造工艺方面,CS7N70采用先进的沟槽式结构设计,提高了芯片的电流密度和导通性能。其封装形式多样,包括TO-252、TO-220等,便于在不同应用场景中灵活选用。CS7N70的栅极驱动电压范围宽,支持常见的10V或12V驱动电压,兼容多种控制器和驱动IC。此外,该器件具有优异的短路耐受能力,能在极端工作条件下提供额外的保护功能。
CS7N70广泛应用于各类电力电子系统中,包括但不限于:开关电源(SMPS)、DC-DC转换器(如Buck、Boost、Buck-Boost拓扑)、电机驱动器、LED照明驱动电源、电池管理系统(BMS)、工业自动化控制设备、UPS不间断电源、逆变器以及消费类电子产品中的功率控制模块。其高效率、低损耗的特点使其在高性能电源设计中具有显著优势。
Si7490DP, IRF1010E, FDP7N70, STP7NK90Z, IPB07N70CF