时间：2025/12/23 19:11:15
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DMN61D9U-7 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用小型封装设计，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率管理应用。DMN61D9U-7 的额定电压为 60V，能够满足消费类电子、通信设备及工业控制等领域的应用需求。
该 MOSFET 主要用于负载开关、同步整流器、DC-DC 转换器以及电池管理电路中。其卓越的性能使其成为需要高效能和小体积解决方案的理想选择。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：3.8A
导通电阻（Rds(on)）：45mΩ
栅极电荷：8nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-23
DMN61D9U-7 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频操作环境。
3. 小型 SOT-23 封装，节省 PCB 空间。
4. 宽工作温度范围，确保在极端环境下仍能可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
这些特性使得 DMN61D9U-7 成为众多便携式电子产品中的理想功率开关元件。
DMN61D9U-7 广泛应用于以下领域：
1. 移动设备中的负载开关和电池保护电路。
2. 各种 DC-DC 转换器中的同步整流器。
3. USB 充电器和适配器中的功率管理。
4. 工业自动化设备中的信号隔离和驱动。
5. 通信设备中的电源转换模块。
由于其紧凑的设计和高性能表现，这款 MOSFET 特别适合于对空间和效率要求较高的场合。
DMN6049U-7
DMN61D9L-7
DMN6049L-7
