型号：UF5N15ZL-TN3-R
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：150V
　　连续漏极电流（ID）：5A（TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：20A
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：65mΩ（max）@ VGS=10V, ID=2.5A
　　导通电阻（RDS(on)）：85mΩ（max）@ VGS=4.5V, ID=2.5A
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容（Ciss）：520pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：130pF @ VDS=25V
　　反向传输电容（Crss）：25pF @ VDS=25V
　　总栅极电荷（Qg）：13nC @ VDS=100V, ID=5A, VGS=10V
　　功耗（PD）：2W（TC=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：S-Mini (SOP-8L)
　　安装类型：表面贴装（SMD）

UF5N15ZL-TN3-R采用ROHM专有的Trench结构硅技术，这种先进的制造工艺显著降低了单位面积的导通电阻，从而在保持小尺寸封装的同时实现高效的电流传导能力。其最大导通电阻在VGS=10V时仅为65mΩ，在4.5V驱动条件下也控制在85mΩ以内，这使得它非常适合用于低电压驱动环境下的高效开关操作。器件的低RDS(on)不仅减少了导通状态下的功率损耗，还有助于降低系统温升，提高长期运行的可靠性。
　　该MOSFET具备出色的动态性能参数，包括较低的输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss），这直接影响了开关速度和驱动电路的设计复杂度。较小的栅极电荷（Qg）意味着驱动所需的能量更少，有助于降低控制器的负担并提升整体系统的能效。此外，520pF的输入电容和25pF的Crss确保了在高频开关应用中仍能维持稳定的性能表现，适用于高达数百kHz甚至更高频率的DC-DC变换器拓扑。
　　UF5N15ZL-TN3-R内置的体二极管具有快速恢复特性，能够有效应对反向电流瞬态，减少反向恢复损耗，尤其在同步整流或H桥驱动电路中表现出色。同时，该器件经过严格测试，具备良好的抗雪崩能力，能够在过压或瞬态应力条件下保持稳定，避免因意外电压尖峰导致的永久损坏。
　　S-Mini封装不仅体积小巧，便于高密度PCB布局，而且通过优化内部引线和散热路径设计，提升了热传导效率。封装底部设有暴露焊盘，可直接连接至PCB地平面以增强散热效果，从而在有限空间内实现更高的功率处理能力。该封装还具备良好的机械强度和焊接可靠性，适合自动化贴片生产流程。

UF5N15ZL-TN3-R广泛应用于各类中等功率电源管理场景。其主要用途之一是作为降压（Buck）、升压（Boost）或升降压（Buck-Boost）型DC-DC转换器中的主开关元件，尤其适用于工业控制设备、通信模块和嵌入式系统的板载电源设计。由于其具备150V的耐压能力，也可用于48V轻混电动车或电信电源系统中的初级侧或次级侧开关。
　　在电池供电设备中，该MOSFET常被用作负载开关或电池保护电路中的通断控制器件，凭借其低导通电阻和快速响应特性，可有效减少待机功耗并提升能源利用率。此外，在电机驱动应用中，特别是小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，UF5N15ZL-TN3-R可用于上下桥臂的开关控制，提供可靠的电流切换能力。
　　该器件也适用于LED驱动电源、适配器辅助电源（Auxiliary Power Supply）以及隔离式电源的同步整流环节。其S-Mini封装的小尺寸优势使其成为便携式医疗设备、智能家居控制模块和工业传感器节点等对空间敏感的应用的理想选择。得益于其高可靠性和宽温度工作范围，该MOSFET同样适用于恶劣环境下的工业自动化设备和户外电子装置。

FDMC86280