时间：2025/7/1 14:16:32
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FN31N101J500PXG 是一款高性能的 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性，能够满足现代电子设备对效率和可靠性的严格要求。
FN31N101J500PXG 的封装形式为 PXG，适合表面贴装技术（SMT），并广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器等领域。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：31A
导通电阻（典型值）：5mΩ
栅极电荷：50nC
开关时间（开启/关闭）：10ns/20ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：PXG
FN31N101J500PXG 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高速开关性能，减少开关损耗，适合高频应用。
3. 良好的热稳定性，能够在极端温度条件下保持稳定的电气性能。
4. 小型化封装设计，节省 PCB 空间，适合高密度布局。
5. 强大的抗静电能力 (ESD)，提高器件的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
FN31N101J500PXG 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. 电机驱动电路中的功率开关。
3. 逆变器和 DC-DC 转换器的核心组件。
4. 太阳能逆变器中的功率级 MOSFET。
5. 工业控制设备中的高频开关元件。
6. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统 (BMS) 和电机控制器。
其高效、可靠的特点使其成为多种功率转换和控制应用的理想选择。
IRF3205
FDP5500
STP36NF06L
