类型：齐纳二极管
　　封装类型：SOD-123
　　齐纳电压：30V
　　最大齐纳电流：200mA
　　最大功率耗散：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　引线温度（焊接，10秒）：260°C

LBZB84C30LT1G齐纳二极管具有多个关键特性，使其在多种电路应用中表现出色。首先，其精确的30V齐纳电压使其非常适合用于高精度的电压调节和参考电压生成。其次，该器件的最大齐纳电流为200mA，能够在较高负载条件下保持稳定的电压输出。此外，最大功率耗散为300mW，确保了在大多数工作条件下都能有效散热。SOD-123封装不仅提供了较小的封装尺寸，还具备良好的热性能，适合高密度PCB设计。器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种环境条件下的工业和汽车应用。ON Semiconductor确保该器件符合严格的AEC-Q101汽车电子标准，使其在汽车电子系统中具有很高的可靠性。另外，该齐纳二极管具有低动态阻抗特性，能够在负载变化时提供更稳定的电压输出，减少电压波动对电路性能的影响。最后，该器件具有较高的反向击穿电压稳定性，在长期使用过程中保持性能不变。

LBZB84C30LT1G齐纳二极管广泛应用于多个领域。在电源管理系统中，它用于提供稳定的参考电压或作为电压调节器。在汽车电子系统中，该器件用于保护敏感电路免受电压浪涌的影响，并提供稳定的电压参考。在工业控制系统中，它常用于模拟电路的电压基准和保护电路。此外，该器件也适用于便携式电子产品，如智能手机和笔记本电脑，用于保护电池供电电路和提供精确的电压调节。在测试和测量设备中，LBZB84C30LT1G用于校准和稳定电压源，确保测量的准确性。该器件还可用于通信设备、消费类电子产品和各种传感器电路中，提供可靠的电压控制和保护功能。

BZX84C30LT1G, LMVZ30VT1G, SZBZB84C30T5G