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PQ1CN38M2ZPH 发布时间 时间:2025/8/28 9:34:14 查看 阅读:4

PQ1CN38M2ZPH 是一款由罗姆(ROHM)公司生产的N沟道功率MOSFET,采用先进的沟槽栅极工艺制造,具有出色的导通特性和快速开关性能。该器件主要用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等应用。其封装形式为TSOP(薄型小尺寸封装),具备良好的散热性能和空间利用率,适合在高密度电子设备中使用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):30V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):5.8A(@Tamb=25℃)
  导通电阻(RDS(on)):38mΩ(@VGS=10V)
  栅极电荷(Qg):10.5nC(typ.)
  漏极电容(Ciss):660pF(typ.)
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  封装形式:TSOP
  功率耗散(PD):2W(@Tamb=25℃)

特性

PQ1CN38M2ZPH 是一款高性能功率MOSFET,采用了先进的沟槽栅极结构,显著降低了导通电阻(RDS(on))并提升了电流处理能力。其低导通电阻使得在高电流应用中能够有效降低功率损耗,提高系统效率。该器件的栅极驱动电压范围为±20V,使其适用于多种驱动电路设计,同时具备较强的抗过压能力。
  在开关特性方面,PQ1CN38M2ZPH 的栅极电荷(Qg)较低,使得其在高频开关应用中表现出色,有助于减少开关损耗并提升整体系统性能。此外,其漏极电容(Ciss)值也相对较低,有利于在高速开关应用中减少信号延迟和振荡风险。
  该MOSFET的TSOP封装设计不仅提供了良好的散热性能,还具有较小的封装尺寸,非常适合空间受限的应用场景,如便携式电子产品、嵌入式系统和车载电子设备等。此外,该器件具有良好的热稳定性和可靠性,在高温环境下依然能保持稳定运行。
  在应用兼容性方面,PQ1CN38M2ZPH 可广泛用于DC-DC转换器、电源管理系统、电机驱动、负载开关等场景,能够满足工业控制、消费电子、汽车电子等多个领域的需求。

应用

PQ1CN38M2ZPH 广泛应用于多种电源管理和功率控制领域。其主要应用包括但不限于:DC-DC转换器中的同步整流器或主开关元件,用于提升转换效率;电源管理系统中的负载开关,实现对电路的高效通断控制;电机驱动电路中作为功率开关,控制电机的启停与方向;此外,该器件也适用于LED照明驱动、电池管理系统(BMS)、逆变器和UPS系统等应用场景。由于其TSOP封装体积小巧,因此也常用于便携式设备如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等产品中。

替代型号

PQ1CN38M2ZPH 的替代型号包括Rohm的PQ1CN38M2VH、ON Semiconductor的NTMFS5C428NLT、Infineon的BSC038N03MS、以及STMicroelectronics的STL320N3LLF。这些器件在参数和封装上具有较高的兼容性,但使用前建议详细核对数据手册,确保符合具体应用需求。

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