时间：2025/8/28 9:34:14
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PQ1CN38M2ZPH 是一款由罗姆（ROHM）公司生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽栅极工艺制造，具有出色的导通特性和快速开关性能。该器件主要用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等应用。其封装形式为TSOP（薄型小尺寸封装），具备良好的散热性能和空间利用率，适合在高密度电子设备中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：5.8A（@Tamb=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：38mΩ（@VGS=10V）
栅极电荷（Qg）：10.5nC（typ.）
漏极电容（Ciss）：660pF（typ.）
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TSOP
功率耗散（PD）：2W（@Tamb=25℃）
PQ1CN38M2ZPH 是一款高性能功率MOSFET，采用了先进的沟槽栅极结构，显著降低了导通电阻（RDS(on)）并提升了电流处理能力。其低导通电阻使得在高电流应用中能够有效降低功率损耗，提高系统效率。该器件的栅极驱动电压范围为±20V，使其适用于多种驱动电路设计，同时具备较强的抗过压能力。
在开关特性方面，PQ1CN38M2ZPH 的栅极电荷（Qg）较低，使得其在高频开关应用中表现出色，有助于减少开关损耗并提升整体系统性能。此外，其漏极电容（Ciss）值也相对较低，有利于在高速开关应用中减少信号延迟和振荡风险。
该MOSFET的TSOP封装设计不仅提供了良好的散热性能，还具有较小的封装尺寸，非常适合空间受限的应用场景，如便携式电子产品、嵌入式系统和车载电子设备等。此外，该器件具有良好的热稳定性和可靠性，在高温环境下依然能保持稳定运行。
在应用兼容性方面，PQ1CN38M2ZPH 可广泛用于DC-DC转换器、电源管理系统、电机驱动、负载开关等场景，能够满足工业控制、消费电子、汽车电子等多个领域的需求。
PQ1CN38M2ZPH 广泛应用于多种电源管理和功率控制领域。其主要应用包括但不限于：DC-DC转换器中的同步整流器或主开关元件，用于提升转换效率；电源管理系统中的负载开关，实现对电路的高效通断控制；电机驱动电路中作为功率开关，控制电机的启停与方向；此外，该器件也适用于LED照明驱动、电池管理系统（BMS）、逆变器和UPS系统等应用场景。由于其TSOP封装体积小巧，因此也常用于便携式设备如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等产品中。
PQ1CN38M2ZPH 的替代型号包括Rohm的PQ1CN38M2VH、ON Semiconductor的NTMFS5C428NLT、Infineon的BSC038N03MS、以及STMicroelectronics的STL320N3LLF。这些器件在参数和封装上具有较高的兼容性，但使用前建议详细核对数据手册，确保符合具体应用需求。
