时间：2025/5/7 20:02:44
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N55PA01A是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和放大应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电子设备中的功率管理模块。
该型号属于增强型NMOS晶体管，其设计优化了在高频、高效场景下的表现，广泛用于电源转换、电机驱动以及负载开关等场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：28A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：49nC
总电容：1760pF
工作温度范围：-55℃至150℃
N55PA01A具备低导通电阻（Rds(on)），能够有效减少功耗并提升效率。同时，其高开关速度和较小的栅极电荷使得它非常适合高频应用。此外，该芯片还具有良好的热稳定性和鲁棒性，在极端温度条件下依然可以保持可靠的性能。
这款MOSFET采用小型化的封装技术，有助于降低整体系统体积，并且支持表面贴装技术（SMT），提升了生产自动化水平和焊接可靠性。
由于其出色的电气特性和机械结构，N55PA01A成为需要高效能、高可靠性的电路设计的理想选择。
N55PA01A主要应用于直流-直流转换器、交流-直流适配器、笔记本电脑充电器、LED驱动器、不间断电源（UPS）、电机控制单元以及各种消费类电子产品中。它还被广泛使用于工业级设备，例如可编程逻辑控制器（PLC）和伺服驱动器等场景，以提供稳定的功率输出和精准的控制功能。
N55PA02A
N56PA01A
IRF540N
