UDZ5.6B 时间：2025/12/25 11:19:15 阅读：18

UDZ5.6B是一款由ROHM Semiconductor（罗姆半导体）生产的齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压基准和稳压电路中。该器件的标称齐纳电压为5.6V，属于中等电压范围的齐纳二极管，具有良好的温度稳定性和电压调节精度。UDZ5.6B采用小型SOD-323封装，体积小、功耗低，非常适合在空间受限的便携式电子设备中使用，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及各类消费类电子产品。该器件通过反向击穿工作于齐纳区，能够在一定的电流范围内维持稳定的输出电压，从而为敏感电路提供可靠的参考电压或实现过压保护功能。由于其优异的电气性能和高可靠性，UDZ5.6B广泛应用于电源管理、信号调理、A/D转换器参考源、微控制器复位电路等领域。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造流程。

参数

类型：齐纳二极管
　　封装/外壳：SOD-323
　　标称齐纳电压 Vz：5.6V
　　测试电流 Iz：5mA
　　最大齐纳阻抗 Zzt：15Ω
　　最大功率耗散 Ptot：200mW
　　工作结温范围：-55°C ~ 150°C
　　温度系数：+2.0 mV/°C（典型值）
　　反向漏电流 Ir：< 1μA @ VR = 1V

特性

UDZ5.6B齐纳二极管具备出色的电压稳定性和温度特性，其标称齐纳电压为5.6V，在5mA的测试电流下能够提供精确且稳定的参考电压。这个电压值位于硅材料PN结的温度系数最小点附近，因此具有最低的温度漂移，使其成为高精度模拟电路中的理想选择。该器件的最大齐纳阻抗仅为15Ω，意味着在负载变化时输出电压波动极小，提升了系统的稳定性与响应能力。
　　UDZ5.6B采用SOD-323超小型表面贴装封装，尺寸紧凑（约1.7mm x 1.25mm x 0.95mm），非常适合高密度PCB布局设计，尤其适用于移动终端和微型化电子模块。该封装还具备良好的热传导性能和机械强度，支持回流焊和波峰焊等多种自动化生产工艺。
　　该器件的额定功率为200mW，可在-55°C至+150°C的宽结温范围内可靠工作，适应严苛的环境条件。其反向漏电流极低（小于1μA），在低功耗待机模式下几乎不消耗额外能量，有助于延长电池供电设备的工作时间。此外，UDZ5.6B具有优良的动态响应特性，能快速抑制瞬态电压波动，用于信号线路的钳位保护时表现优异。
　　作为一款工业级器件，UDZ5.6B符合AEC-Q101汽车电子认证标准（部分批次），可用于车载电子系统中，例如传感器信号调理、ECU电压监测等场景。同时，它也满足无铅和RoHS环保要求，适合全球范围内的电子产品出口与应用。