MM1Z75W是一款通用型的齐纳二极管,主要用于电压调节、参考电压和过压保护等应用。该器件属于硅平面型技术制造,具有良好的稳定性和可靠性,适用于各种电子电路中的稳压功能。齐纳二极管的工作原理基于反向击穿特性,能够在特定的反向电压下导通并维持稳定的电压值。
该型号的齐纳二极管在设计上注重了低动态电阻和较高的温度稳定性,适合用于要求高精度和高可靠性的场景。
额定功率:1W
齐纳电压:75V
最大工作电流:20mA
动态电阻:典型值3欧姆
封装形式:DO-41
工作温度范围:-55℃至+150℃
漏电流:最大10uA(在齐纳电压以下)
MM1Z75W具备较低的动态电阻,这意味着它能够提供更精确的稳压性能。同时,其出色的温度稳定性使其在较宽的环境温度范围内仍能保持性能一致性。此外,该器件采用DO-41封装,体积小巧,便于安装在空间受限的电路板上。
与其他齐纳二极管相比,MM1Z75W具有较高的额定功率(1W),可以承受更大的功耗,适合需要较高功率处理能力的应用。此外,该器件的漏电流较小,在未达到齐纳电压时几乎不会对电路造成干扰。
需要注意的是,尽管MM1Z75W具有一定的功率处理能力,但在实际使用中仍需注意散热设计,以避免因过热而导致性能下降或损坏。
MM1Z75W广泛应用于各种需要稳压和电压参考的场合,例如电源电路中的电压调节、信号放大器中的偏置电压生成以及过压保护电路等。具体应用场景包括:
1. 稳压电源:为低压电路提供稳定的参考电压。
2. 过压保护:防止输入电压过高导致后级电路损坏。
3. 信号调理电路:用作基准电压源,确保信号的线性度和准确性。
4. 模拟电路:用于生成精确的偏置电压,确保放大器或其他模拟元件正常工作。
由于其75V的齐纳电压,该器件特别适合于较高电压需求的场合,如工业控制设备、通信设备和汽车电子系统中的相关应用。
MM1Z75B
MM1Z75M
MM1Z75K