类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：12A（在25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：约4.5mΩ（典型值）
　　功率耗散(Pd)：32W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220、DPAK等

CLL4107具有低导通电阻，使其在导通状态下功耗较低，有助于提高系统的整体效率。该器件具备较高的电流承载能力，能够在12A的连续漏极电流下稳定工作，适合中高功率应用需求。
　　此外，CLL4107拥有良好的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定运行，提高了系统的可靠性和耐用性。其高开关速度特性使其适用于高频开关电路，如DC-DC转换器和同步整流器等。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的10V或更低的驱动电压，方便与各种控制电路（如PWM控制器或微处理器）配合使用。同时，CLL4107具备良好的抗静电能力和过热保护特性，增强了器件在实际应用中的安全性。
　　封装方面，CLL4107通常采用TO-220或DPAK等标准封装，便于安装和散热设计，适合广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。

CLL4107广泛应用于各类电源管理系统和开关控制电路中，例如DC-DC升压/降压转换器、同步整流器、电机驱动控制器、电池充电器、LED驱动电源以及负载开关等场景。
　　在工业自动化设备中，CLL4107可用于控制继电器、电磁阀、传感器供电等负载，提供高效、稳定的开关控制。
　　在消费电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能家电中，CLL4107可用于电源管理模块，实现节能高效的电能转换与分配。
　　此外，在汽车电子系统中，该MOSFET可用于车灯控制、电动座椅调节、车载充电器等应用，满足车载环境下对可靠性和稳定性的高要求。

IRFZ44N, AO4407, IPP045N06N3, STP12NM60N