时间：2025/5/14 18:00:14
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DMN3060LWQ是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用微型DFN3020-8封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适合用于便携式设备、负载开关、同步整流器以及DC-DC转换器等应用。
DMN3060LWQ以其小尺寸和高效性能而闻名，能够在较低电压条件下提供高效率的功率传输。它的典型应用场景包括消费类电子产品中的电源管理电路和工业控制中的小型化设计。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：4.1A
导通电阻（Rds(on)）：7mΩ（在Vgs=4.5V时）
栅极电荷：1.9nC
总电容（Ciss）：280pF
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：DFN3020-8
DMN3060LWQ具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够降低功率损耗并提高系统效率。
2. 小型化的DFN3020-8封装，适用于空间受限的设计。
3. 快速开关能力，减少开关损耗并提升高频操作性能。
4. 高电流承载能力，支持高达4.1A的连续漏极电流。
5. 宽泛的工作温度范围，确保其在极端环境下的可靠性。
6. 低栅极电荷和输入电容，有助于简化驱动电路设计。
DMN3060LWQ广泛应用于以下领域：
1. 消费电子产品的电源管理系统，如智能手机和平板电脑。
2. 各种负载开关应用，用于动态调整供电路径。
3. 同步整流器电路，以提升DC-DC转换器的效率。
4. 电池供电设备中的功率传输路径控制。
5. 工业自动化设备的小型化设计。
6. LED驱动电路以及其他低压功率转换场景。
DMN3038LWQ, DMN2990UFQ
