2SK3465 是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于需要高效能和高稳定性的电源管理应用。该器件具有低导通电阻、高耐压、高电流容量等优点,适用于DC-DC转换器、开关电源、电机控制以及负载开关等场景。2SK3465 采用SOP(Small Outline Package)封装形式,具备良好的散热性能和空间节省设计,适合在紧凑型电路板设计中使用。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):60A(Tc=25℃)
功耗(Pd):200W
导通电阻(Rds(on)):最大6.5mΩ(在Vgs=10V时)
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
封装形式:SOP(表面贴装)
2SK3465 的最大特点在于其极低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少导通状态下的功率损耗,提高电源转换效率。此外,该MOSFET具有较高的电流承载能力,能够在高负载条件下稳定运行,适用于高功率密度设计。SOP封装不仅提供了良好的散热性能,还便于实现自动化贴装和焊接,提高生产效率。
该器件的栅极驱动电压范围较宽,可在4.5V至20V之间工作,使得其适用于多种驱动电路设计。同时,2SK3465 具有良好的热稳定性与抗冲击能力,能够承受一定的瞬时过载和温度波动,增强了系统的可靠性。
由于其高性能和稳定性,2SK3465 在工业控制、通信电源、电动工具、电池管理系统(BMS)以及汽车电子等对可靠性和效率要求较高的应用中广泛使用。
2SK3465 主要用于各种电源管理与功率控制电路中,例如同步整流型DC-DC转换器、高效率开关电源(SMPS)、马达驱动电路、电池充放电管理模块、负载开关控制以及高电流LED驱动电路等。在汽车电子系统中,它也可用于车载电源转换器、电动助力转向系统(EPS)和车载充电器(OBC)等应用。此外,该器件在工业自动化设备和服务器电源系统中也常被用于提高系统效率和稳定性。
SiR100DG-T1-GE3, IRF1324S-7PPBF, FDS6680, 2SK3482, 2SK3442