容量：64MB
　　组织结构：4M x 16
　　电压：2.3V - 3.6V
　　速度等级：-7H（对应访问时间7.5ns）
　　封装类型：TSOP
　　引脚数量：54
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　接口类型：异步/同步模式可选
　　数据宽度：16位

HY82V644821SD-7H 是一款高性能的DRAM芯片，其主要特性之一是其64MB的存储容量，采用4M x 16的组织结构，适用于需要大容量存储和快速访问的应用场景。该芯片支持异步和同步两种工作模式，能够根据系统需求进行灵活配置，从而在性能和功耗之间实现良好的平衡。其访问速度为7.5ns（对应-7H速度等级），确保了快速的数据读写能力，满足高速缓存或主存应用的需求。
　　此外，HY82V644821SD-7H 的工作电压范围为2.3V至3.6V，使其在不同电源环境下均能稳定运行，提高了其适应性。该芯片采用TSOP（薄型小外形封装）封装技术，具有良好的散热性能和较小的PCB占用空间，适合高密度电路设计。其工作温度范围为工业级标准（-40°C至+85°C），可在严苛的环境条件下可靠运行，广泛应用于工业控制、通信设备、消费电子等领域。

HY82V644821SD-7H 由于其高性能和可靠性，广泛应用于多个领域。在工业自动化系统中，该芯片可用作主存储器或高速缓存，提高系统响应速度和数据处理能力。在通信设备中，如路由器、交换机和基站模块，该DRAM芯片可支持高速数据传输和临时数据存储，保障通信的稳定性和实时性。消费类电子产品，如数字电视、机顶盒、游戏机和嵌入式设备，也可利用该芯片的高速度和低功耗特性，提升用户体验。
　　此外，该芯片也适用于测试设备、医疗成像系统、安防监控设备等对数据处理和存储要求较高的专业设备。由于其宽电压范围和工业级温度适应性，HY82V644821SD-7H 在恶劣环境下仍能保持稳定运行，是高可靠性系统的理想选择。同时，其标准封装和兼容性设计也便于进行系统升级和维护，降低开发和制造成本。

IS61LV6416-7T, CY62148EVLL-70ZE3, A621Q641626CVRNT7