ST36VFBT233 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高性能异步 SRAM 存储器芯片。这款芯片以其快速存取速度、低功耗和高可靠性而著称,广泛应用于工业控制、通信设备、医疗仪器以及消费电子等领域。
该器件采用先进的制造工艺,支持高达 10ns 的存取时间,并具备 256K x 18 的存储容量,提供宽电压范围以适应不同的工作环境。
存储容量:256K x 18
存取时间:10ns
电源电压:3.3V 或 5V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:FBGA
I/O 数量:233
ST36VFBT233 具有以下主要特性:
1. 高速性能:存取时间低至 10ns,确保在高频应用中的高效数据传输。
2. 多电压支持:兼容 3.3V 和 5V 两种供电模式,便于系统集成。
3. 宽温范围:工作温度从 -40°C 到 +85°C,适合多种恶劣环境下的使用需求。
4. 低功耗设计:在待机模式下显著降低能耗,延长电池寿命或减少散热需求。
5. 高可靠性:采用先进制程技术,具备较长的使用寿命及优异的数据保持能力。
6. FBGA 封装:紧凑型封装形式,易于安装并提高 PCB 布局灵活性。
ST36VFBT233 适用于对高速数据处理和存储要求较高的场合,典型应用场景包括:
1. 工业自动化设备中的数据缓存模块。
2. 网络路由器、交换机等通信设备中的临时数据存储。
3. 医疗成像设备中的图像缓冲区。
4. 消费类电子产品中的高性能存储解决方案。
5. 军事与航空航天领域的实时数据记录与分析系统。
CY7C1099EV33, IS61WV25618BLL, AS6C1008