IXFK170N20T 时间：2025/8/17 19:18:28 阅读：24

IXFK170N20T是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高功率、高速开关应用而设计，适用于电源转换器、电机控制、开关电源（SMPS）以及工业自动化系统等多种应用场景。该MOSFET采用了先进的平面技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，从而有效降低开关损耗并提高系统效率。此外，IXFK170N20T采用了TO-247封装形式，便于安装和散热，适用于高功率密度设计。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：200V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：170A（在TC=25℃时）
　　导通电阻(Rds(on))：最大12mΩ
　　工作温度范围：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-247
　　功率耗散(Pd)：500W
　　漏极电容(Coss)：约1800pF
　　栅极电荷(Qg)：约200nC
　　阈值电压(Vgs(th))：2.0V至4.0V

特性

IXFK170N20T具有多项优良特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。其次，该器件具备高电流承载能力和优异的热稳定性，能够在高负载条件下可靠运行。此外，IXFK170N20T采用了先进的平面工艺技术，使其具备快速开关能力和较低的开关损耗，适用于高频开关应用。
　　该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和较高的耐用性，能够在极端工作条件下保持稳定运行。其TO-247封装不仅提供了良好的散热性能，还增强了机械强度和电气绝缘能力，适用于高功率密度和高可靠性要求的设计。此外，该器件的栅极驱动要求较低，可与标准驱动电路兼容，简化了电路设计并降低了系统成本。
　　值得一提的是，IXFK170N20T的内部结构优化了电场分布，提高了器件的击穿电压稳定性，从而增强了其在高压环境下的可靠性。其低寄生电感设计也进一步提升了高频开关性能，减少了电磁干扰（EMI）问题。

应用

IXFK170N20T广泛应用于各种高功率电子系统中，包括但不限于：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于服务器电源、通信电源和工业电源等高效率电源系统；
　　2. 电机驱动和控制：适用于变频器、伺服驱动器和电动汽车电机控制器；
　　3. 逆变器和UPS系统：用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和储能系统；
　　4. 电池管理系统：如高功率电池充放电控制电路；
　　5. 工业自动化设备：如高精度工业机器人和自动化控制系统；
　　6. 电力电子变换器：包括DC-DC变换器、AC-DC整流器和功率因数校正（PFC）电路。